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降低页条带写操作性能波动的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-102-1824-5186
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G06F3/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请提供一种降低页条带写操作性能波动的方法,该方法包括:响应于要向第一页条带的每个第一物理页写入指定数据,生成成对的P1操作和R操作,P1操作指示将存储器中的指定数据搬移到NVM芯片,R操作指示对存储器中的指定数据执行XOR计算,并在第一页条带对应的第一XOR缓存中保留计算结果;第一页条带包括第二物理页与多个第一物理页;响应于要向第一页条带的第二物理页写入数据,生成P2操作,P2操作指示将第一XOR缓存中的校验数据写入第一页条带的第二物理页。本申请可基于三个相互独立的操作将存储器中的指定数据和对应的校验数据写入NVM芯片,且可及时释放XOR缓存,实现减少对XOR缓存的占用,提高利用效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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