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一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-104-8213-1406
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/20;H01S5/34类
授权状态: 已授权
档案内容: 本公开公开一种完全非对称结构的激光器外延片及其制备方法,该外延片中:N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称;下波导层、上波导层均呈组分含量渐变特点,厚度非对称特点,并且所述下波导层中掺杂P原子;下垒层与上垒层均呈组分含量渐变特点,厚度非对称特点。这种完全非对称结构的激光器外延片中,N限制层与P限制层的组分含量非对称、厚度非对称设置起到降低串联电阻,减少热产生,将光场向N侧偏移的作用,从而降低空穴对载流子的吸收提升内量子效率。下波导层、上波导层均呈组分含量渐变,厚度非对称设置,实现量子阱的光限制可控。而下垒层与上垒层厚度非对称,组分渐变设计提升了激光器高温下的可靠性,提高了光电转换效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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