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专利信息

一种N型双面晶硅电池异常分析方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-108-4359-6599
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/66类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种N型双面晶硅电池异常分析方法,涉及晶体硅太阳能电池技术领域,所述方法依次为：一次装片、配混酸清液、混酸清洗、一次水洗、一次吹扫水渍、硅片方块电阻率测试分析、二次装片、配氢氧化钠溶液、碱溶液清洗、二次水洗、二次吹扫水渍以及硅片电阻率测试分析。本发明通过使用特定溶液对电池片结构进行抛片,恢复制程中端结构进行检测分析的方法,可直观、快速的反向分析制程中掺杂工序及原材料端是否存在异常,减少异常片产出,提升电池片效率、良品率及合格率。
附件下载：  (原始资料备查)

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