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有限责任公司(外商投资企业与内资合资) 成立历史第

套刻量测方法、半导体器件的制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-109-0851-5624
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G03F7/20;H01L23/544类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种套刻量测方法、半导体器件的制作方法,包括:采用同一光罩,在第一层光刻工艺中在晶圆上形成阵列布置的多个第一标记,在第二层光刻工艺中在所述晶圆上形成阵列布置的多个第二标记,且所述第一标记与相对应的所述第二标记相互嵌套,通过获取相互嵌套的所述第一标记和所述第二标记的偏差值,以得到第一层和第二层的对准偏差。本发明针对第一层和第二层的结构相同的刻蚀工艺,采用相同的光罩,并分别在第一层和第二层刻蚀工艺依次在晶圆上形成多个第一标记和多个第二标记,利用第一标记和第二标记的相互嵌套,实现第一层和第二层对准的量测,解决了跨层的套刻量测问题,实现跨层光刻使用同一光罩,降低了光罩成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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