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一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-112-5321-4876
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种制备高长度一致性半导体激光器晶圆自然解理面的装置及其使用方法,该装置提供新型光刻掩膜版和真空固定底座,将晶圆涂胶后在光刻掩膜版进行曝光,然后进行显影、刻蚀,在晶圆上制备深沟结构,再将晶圆固定在真空固定底座上,使得晶圆上的深沟结构深沟结构处于悬空;采用刀具从晶圆的深沟结构的右侧施加压力,使晶圆自然断裂,得到晶圆的自然解理面。采用本发明提供的装置制备晶圆自然解理面的长度具有较高的一致性。
附件下载:  (原始资料备查)

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