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专利信息

具有去耦电容的集成电路芯片及其制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-116-4494-3339
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10B10/00;H01L29/94类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种具有去耦电容的集成电路芯片及其制造方法,基于多晶硅栅极和高k介质层来形成去耦电容,能够将去耦电容集成在标准CMOS工艺中,且相对原有的标准CMOS工艺只增加一个附加掩膜,工艺简单,制造成本低。另外,能通过对高k介质层的选材和厚度进行合理设计,进一步使得形成的去耦电容的电容密度和泄漏性能与MIM电容相似,并使得去耦电容的多晶硅耗尽可控,以满足28nm及以下技术节点的器件的更高性能要求。
附件下载：  (原始资料备查)

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