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半导体装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-117-0965-0098
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/739;H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种半导体装置,半导体装置包括:第一导电类型的漂移层;第二导电类型的耐压环,耐压环设置于漂移层对应半导体装置的终端区的部分,耐压环的上表面构成漂移层上表面的一部分;场截止层,场截止层设置于漂移层的下表面;集电极层,集电极层设置于场截止层的下表面,集电极层内设置有发射极层,发射极层位于集电极层对应终端区的部分。由此,通过在集电极层对应终端区的位置设置发射极层,这样不仅可以使半导体装置反向导通,而且还可以提高半导体装置的面积利用率,可以防止半导体装置的整体面积增大,从而在实现半导体装置反向导通的同时,有利于降低半导体装置的功耗,提高半导体装置的可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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