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片上帕尔贴制冷器件及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-118-5004-5075
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L35/32;H01L35/34;H01L23/367;H01L23/38类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种片上帕尔贴制冷器件及其制作方法,该器件包括:位于半导体衬底中的第一类型阱区,位于半导体衬底表面上的多晶硅栅极和伪栅,位于第一类型阱区中的第一类型掺杂区,位于第一类型阱区中的第二类型掺杂区,位于第一段上方的第一通孔和位于第二段上方的第二通孔。伪栅形成为具有间隔的两段结构,两段结构中远离间隔的部分区域与半导体衬底之间不具有栅绝缘层。第一类型掺杂区至少与伪栅的第一段在半导体衬底上的正投影区重叠。第二类型掺杂区至少与多晶硅栅极和伪栅的第二段在半导体衬底上的正投影区重叠。本申请实施方式中,热流方向是从器件内部向表面的方向流动,从而实现散热制冷。
附件下载:  (原始资料备查)

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