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一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-119-1743-2996
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G06F30/398;G06F30/392;G06F119/08类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及半导体技术领域,具体地说,涉及一种提高放大器芯片散热性能的晶体管电路优化方法;首先通过进行初步电路设计,在热模型中设置散热影响要素的参数进行仿真分析,计算出初始的晶体管结温和热源热影响区域范围;然后改变散热影响要素的参数,得到新的晶体管结温;最后对比晶体管结温,判断放大器芯片散热指标是否合格;若不合格,重复调整散热影响要素的参数,直至放大器芯片散热指标合格,得到散热影响要素优化后的参数;实现了放大器芯片晶体管电路结构的优化设计,改善了功率放大器芯片的散热能力,提高了芯片的高温工作性能指标和芯片长期工作的可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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