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股份有限公司(港澳台与境内合资、上市) 成立历史第28 

半导体装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-120-1379-2131
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/739;H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种半导体装置,包括:基体,具有第一主面及与所述第一主面相反侧的第二主面;第一导电型的漂移层,设于所述第一主面和所述第二主面之间;第二导电型的阱区层,与所述漂移层相比设于所述第一主面侧;第一导电型的发射极层,选择性地设于所述阱区层的所述第一主面侧;所述基体设置有从所述第一主面将所述阱区层和所述发射极层贯穿而达到所述漂移层的第一栅极沟槽,以及从所述第一主面将所述发射极层贯穿而达到所述阱区层的第二栅极沟槽;在所述第一栅极沟槽和所述第二栅极沟槽内均隔着栅极绝缘膜配置有栅极电极。根据本发明实施例的半导体装置能够增大Cge/Cgc比值,具有开关损耗小等优点。
附件下载:  (原始资料备查)

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