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衬底及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-120-3877-6051
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/20类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种衬底及其制备方法,属于半导体领域。衬底包括:基础衬底(10);薄膜层(11),其中所述薄膜层(11)覆盖部分所述基础衬底(10)的表面,使所述基础衬底(10)具有未被所述薄膜层(11)覆盖的裸露表面(100);以及凹孔(101),位于至少部分所述裸露表面(100)上。该衬底具有凹孔,可以释放当在衬底上生长外延层时由于晶格失配和热失配所产生的应力,降低因压力过大而导致产生缺陷和裂纹的风险,从而减小后续在该衬底上制备得到的半导体的翘曲度,使其具有更好的质量与性能。
附件下载:  (原始资料备查)

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