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半导体装置和半导体装置的制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-121-0843-3884
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种半导体装置和半导体装置的制造方法,半导体装置包括:基体;第一导电类型的漂移层;第二导电类型的阱层;第二导电类型的基极层,基极层和阱层在第二方向上排布,阱层的深度大于基极层的深度;第一沟槽,第一沟槽设置于过渡区,第一沟槽的深度从第一主面朝向第一方向延伸,第一沟槽在第二方向上位于阱层和基极层之间,第一沟槽第二方向的两侧分别与阱层和基极层相接触。由此,通过设置第一沟槽,使第一沟槽位于阱层和基极层之间,这样第一沟槽可以阻挡阱层的第二导电类型掺杂剂朝向基极层扩散,避免在过渡区形成曲面,可以优化过渡区的电场分布,避免电场集中,从而可以提升半导体装置的可靠性,可以增大半导体装置的安全工作区。
附件下载:  (原始资料备查)

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