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GaNHEMT漏极控制电路及设备【异议或纠错】

档案编号: CQ-128-9586-0123
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H03K17/687类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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