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有限责任公司(外商投资企业与内资合资) 成立历史第

氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-129-0990-7758
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L21/335类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请实施例涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法,包括:衬底,包括在厚度方向上彼此相对的第一表面和第二表面;漏极沟槽,从衬底的第一表面延伸至衬底的内部;氮化镓基外延叠层,在衬底的第一表面上以及漏极沟槽的内表面上延伸,氮化镓基外延叠层的至少部分区域用于形成二维电子气通道;漏极,位于漏极沟槽内且位于氮化镓基外延叠层的第一位置上;栅极,位于氮化镓基外延叠层的第二位置上;由氮化镓基外延叠层中位于第一位置和第二位置之间的部分形成的二维电子气通道具有沿厚度方向上的分量;如此,利用衬底的厚度方向延长漏极与栅极之间二维电子气通道的长度,从而在占用面积较小的情况下实现较高的耐压。
附件下载:  (原始资料备查)

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