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沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-247-9979-3148
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/331;G06F30/367;H01L21/266;H01L29/739;H01L29/06类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了沟槽栅IGBT器件、制作方法及仿真方法,制作方法包括在终端区依序生成N-RING截止环、G-RING耐压环;在有源区形成CS层;进行退火推结;对终端区处理生成LOCOS厚氧化层,并持续退火推结;对终端区生成BODY阱区;生成栅氧化层,并持续退火推结;淀积并刻蚀多晶硅;对有源区形成N+发射极,并退火激活;对淀积介质层,刻蚀接触孔,注入P型离子;淀积金属层,并刻蚀金属;淀积钝化层,并刻蚀钝化层;对硅衬底背面形成背部FS层、背部P型集电极。通过实施本发明实施例的制作方法可实现提高CS层的注入效率,降低CSTBT导通压降和饱和电流,优化导通压降和关断损耗的折衷关系。
附件下载:  (原始资料备查)

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