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一种降低VDMOS生产成本的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-247-9980-8283
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种降低VDMOS生产成本的方法,包括以下步骤:A、初始氧化层上采用光刻胶做出环区图形和深体区图形,环区图形和深体区图形形成光刻打开区;B、对光刻打开区进行刻蚀,形成深体区及终端环;C、进行高温驱入,生长二次氧化层;D、在有源区进行VDMOS的原胞制作,二次氧化层的保留,为后续源区制作,减少1层光刻做准备;E、生长栅极氧化层,淀积多晶硅栅极;F、做多晶硅栅极的刻蚀,并刻透栅极氧化层,形成体区窗口来制作体区,之后再进行多晶硅的掺杂,同时源区也进行了制作;本发明在保证器件性能的前提下,减少一次光刻及深体区制作过程,来大幅降低成本,成本降低约20%,从而提升器件市场竞争力,具有良好的市场应用价值。
附件下载:  (原始资料备查)

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