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碳化硅腐蚀装置和碳化硅缺陷观测方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-4401-1978
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01N1/32;G01N21/95类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种碳化硅腐蚀装置,包括加热桶,支架和观测装置;加热桶用于盛装碱性腐蚀原料,上端开口;待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀;支架用于放置待观测晶片,并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装置;观测装置用于观察晶片的腐蚀过程。该装置利用加热桶盛装碱性腐蚀原料,利用支架放置待观测晶片,通过碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀待观测晶片,并在腐蚀过程中利用观测装置观察晶片表面的腐蚀过程,无需对待观测晶片进行研磨,防止晶片腐蚀过程中的重要信息因研磨过度而丢失,利于更好地研究晶片表面缺陷的演化和移动情况。本发明还提供一种用于上述碳化硅腐蚀装置的碳化硅缺陷观测方法。
附件下载:  (原始资料备查)

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