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一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-5634-3390
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/42;H01L21/67;G01K7/22;G01K7/42;C30B35/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及数据处理技术领域,具体涉及一种用于砷化镓半导体生长的智能化温度监测方法,包括:获取温度信号曲线及生长速率的拟合曲线;获得温度信号中噪声强度的基本估测值;获得生长末期阶段温度信号中每条分量信号的温度变化周期性;得到每条分量信号中每个局部信号段的异常权重;获得生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值;根据生长末期阶段温度信号中每个局部信号段内的滤波强度值,以及温度信号中噪声强度的基本估测值,获得除噪后的温度信号数据,对砷化镓半导体的生长进行智能化温度监测。本发明旨在解决砷化镓半导体生长过程中温度信号受噪声影响导致监测不准确的问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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