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一种减少颗粒硅加料溅硅的加料方法及其在直拉硅单晶工艺中的应用【异议或纠错】

档案编号: CQ-248-6229-7601
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/06;C30B15/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种减少颗粒硅加料溅硅的加料方法及其在直拉硅单晶工艺中的应用,所述加料方法包括备料和加料,其中备料采用向加料桶中依次加入质量比1:1~2:2~5:1~2的线性尺寸为10~30mm硅块料、线性尺寸为3~8mm硅碎料、粒径为1~3mm的颗粒硅和线性尺寸为10~30mm硅块料,熔料过程中主加热器功率为80~90kw,底加热器功率为95~105kw,固定底加热器功率比主加热器功率高15kW,热屏升到上限位,埚位按自动埚位执行,氩气流量调整为130~150slpm,同时,颗粒硅加料流量为15s/25kg,并在10s内加入硅块料。本发明的加料方法用于直拉硅单晶工艺中,避免加料过程中颗粒硅的跳硅溅硅,减少拉晶断线,提高成晶率。
附件下载:  (原始资料备查)

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