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一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-259-9630-5302
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第B81B7/00;B81C1/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种具有应力缓冲结构的MEMS芯片及其制造方法,具体是通过半导体加工工艺将圆片级封装的MEMS圆片的底板SOI圆片的底氧化层形成底氧化层图形,露出部分底硅层表面;然后以底氧化层图形为掩膜,对MEMS圆片进行深硅蚀刻,露出埋氧层表面,底硅层被蚀刻成应力缓冲结构,形成划片区、外框、应力缓冲弹簧、空窗区、连接区以及释放孔;再将MEMS圆片浸入HF或缓冲HF溶液中,形成中心埋氧图形,形成具有应力缓冲结构的MEMS圆片;最后切割圆片完成具有应力缓冲结构的MEMS芯片的制造。本发明制造的具有应力缓冲结构的MEMS芯片的应力缓冲结构通过中心埋氧连接在MEMS芯片的底部,达到降低封装应力的目的,其优点在于工艺简单、芯片面积小、封装成品率高、成本低。
附件下载:  (原始资料备查)

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