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专利信息

一种MEMS垂直电极结构的制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-259-9630-6523
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种MEMS垂直电极结构的制造方法,通过在SOI单晶硅圆片上淀积多层硬掩模,刻蚀多个直抵硅衬底层的沟槽,再热氧化沟槽,在沟槽表面形成第二SiO-2层,再淀积多晶硅并无掩模返刻多晶硅,形成多晶硅电极,再释放MEMS结构,最后热氧化,并腐蚀形成第二空腔等工艺步骤,形成MEMS垂直电极结构；单晶硅电极和多晶硅电极通过一次光刻/刻蚀的图形决定,实现二者的自对准,电极间距由第二SiO-2层的厚度决定,多晶硅电极底部低于单晶硅电极底部的高度差由第二沟槽的深度决定,单晶硅电极顶部高于多晶硅电极顶部的高度差由无掩模回蚀多晶硅的量决定,根据本发明的方法制造的MEMS垂直电极结构具有尺寸精度高、加工重复性好、性能一致性好、加工工艺简单等优点。
附件下载：  (原始资料备查)

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