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一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-261-2505-7555
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C03B37/018类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及光纤制造技术领域,具体地说是一种PCVD工艺制作低羟基光纤预制棒芯棒的方法,其特征在于,在光学芯层外沉积出一层SiO-2玻璃阻挡层,在缩棒工艺中通入含F气体与所述SiO-2玻璃阻挡层反应形成含F玻璃阻挡层;本发明和现有技术相比,避免了空心预制棒在移动至融缩车床过程中环境水汽对光纤芯层的污染,可将PCVD工艺制造预制棒工艺过程中因移棒引入的OH-污染进行有效的消除,进而降低光纤预制棒中的OH-吸收损耗,极大的降低了PCVD工艺车间对环境湿度的依赖性,对制造低水峰甚至无水峰光纤提供了一种新的手段,还可防止光纤中心的Ge在融缩过程的过量蒸发,对光纤的模式带宽特性有一定的改善作用。
附件下载:  (原始资料备查)

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