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具有可靠性和稳定性的SRAM结构及其自定时控制方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-268-2406-9362
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G11C11/412;G11C11/419;G11C11/418类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明揭示了一种具有可靠性和稳定性的SRAM结构及其自定时控制方法,所述具有可靠性和稳定性的SRAM结构包括多个并联的虚拟存储体;虚拟存储体设置在真实存储体长度方向的一侧。进一步的,虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管;第三NMOS管和第四NMOS管的栅极均接入字线,第三NMOS管和第四NMOS管的漏极分别接入位线和互补位线;位线和互补位线均接入时序控制电路。本发明能够控制真实存储体的字线开启时间,从而能够精准地控制灵敏放大器的开启时间,并缩短灵敏放大器的开启时间,还能够提高控制的灵活性,有效节省功耗。
附件下载:  (原始资料备查)

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