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专利信息

一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管【异议或纠错】

档案编号： CQ-269-0431-5778
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/872;H01L29/47;H01L29/20;H01L29/36类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管,其制备方法包括以下步骤：将清洗后的块状c-BN单晶四周用胶带覆盖住,只漏出待镀电极的区域,在块状c-BN单晶一侧表面沉积Au金属电极,然后撕下胶带；在手套箱中把锂片表面氧化层刮掉,再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧,将块状c-BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上；采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c-BN单晶的Au电极连接起来,固定；完成电化学掺杂后,在c-BN晶体的锂掺杂一侧沉积Au金属电极。本发明中,在c-BN表面引入锂原子,其能级定位于浅能级,从而有效改善了金属与c-BN之间的界面接触质量。这种改进通过减少界面态密度,进一步降低了c-BN单晶与金属间的接触势垒ΦB。
附件下载：  (原始资料备查)

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