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一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-688-0720-8228
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B15/00;C30B29/06;B28D5/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法,该方法突破了单晶硅片直径的限制,从目前的8英寸向12英寸发展;降低单晶硅片中氧碳元素的含量,提高单晶硅片的电学性能,该方法包括以下步骤:1、采用高纯多晶硅原料;2、使用高纯涂层石英坩埚,最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质;3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶;4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶;5、对硅单晶进行切方、滚圆处理;6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层;7、利用多线切割机,辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工,生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。
附件下载:  (原始资料备查)

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