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背照式高速光电二极管接收芯片【异议或纠错】

档案编号: CQ-699-3781-3128
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/102;H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型提出了一种背照式高速光电二极管接收芯片,包括:外延层,包括P型台面、N型台面、磷化铟衬底;P型台面包括铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层;N型台面包括磷化铟缓冲层;其中,磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓冲层,铟砷化镓吸收层、磷砷化镓铟渐变层、反射镜面层、磷化铟顶层、铟砷化镓接触层;集成微透镜,设置于磷化铟衬底的一侧,且集成微透镜与磷化铟缓冲层在磷化铟衬底的不同侧。本实用新型能够在确保芯片扩散源区面积保持不变的情况下,扩展芯片的光吸收面积,解决芯片扩散源区面积小所导致的耦合效率低的问题,以及加入反射镜面层能够使芯片的量子效率得到改善。
附件下载:  (原始资料备查)

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