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一种光刻方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-099-4660-8427
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G03F7/20类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种光刻方法,属于芯片加工技术领域。本发明的光刻方法包括晶片,晶片包括第一台面与第二台面,第一台面的高度大于第二台面的高度,所述方法包括:在晶片表面均匀涂覆光刻胶,形成光刻胶膜层;在光刻胶膜层的上方设置第一掩膜版,在第一掩膜版的上方向晶片表面进行第一曝光,第一曝光在第一预设曝光量下进行;去除第一掩膜版;在光刻胶膜层的上方设置第二掩膜版,在第二掩膜版的上方向晶片表面进行第二曝光,第二曝光在第二预设曝光量下进行;其中,第一掩膜版上设置有与第一台面对应的图形,第二掩膜版上设置有与第二台面对应的图形。本发明的光刻方法可以有效解决高低台式芯片光刻工艺中的曝光不均匀的问题,提高光刻曝光的质量。
附件下载:  (原始资料备查)

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