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光电二极管及其制造工艺【异议或纠错】

档案编号: CQ-719-3281-1630
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了光电二极管,包括耗尽层、阳极金属,及顺序设置的阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区和绝缘层;阴极金属、N型掺杂阴极区和P型掺杂阳极区电性导通,耗尽层封闭于N型掺杂阴极区与P型掺杂阳极区之间,阳极金属的一端穿过绝缘层并与P型掺杂阳极区电性导通。还提供了光电二极管的制造工艺:在N型掺杂阴极区上外延生长出感光区;在感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区;在P型掺杂阳极区上生长出绝缘层;在绝缘层上的接触窗口处沉积阳极金属,在N型掺杂阴极区背离P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属;耗尽感光区形成耗尽层。P型掺杂阳极区和N型掺杂阴极区封闭耗尽层,避免耗尽层外露,有效消除表面漏电,明显增加信噪比。
附件下载:  (原始资料备查)

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