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半导体功率器件和半导体功率器件的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-097-6946-2243
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种半导体功率器件和半导体功率器件的制备方法,其中,半导体功率器件包括衬底层、有源区、栅极、侧墙层、层间介质层和金属层,衬底层中形成有有源区;衬底层的上表面形成有栅极,栅极位于有源区的一侧;层间介质层覆盖衬底层和栅极;在层间介质层和衬底层对应有源区的位置形成有沟槽接触孔,沟槽接触孔贯穿层间介质层并连通至有源区;用于阻挡金属离子扩散至有源区侧面的侧墙层,侧墙层设置在沟槽接触孔的侧壁并连接至有源区上表面;金属层覆盖层间介质层并填充沟槽接触孔。本发明实施例提出的半导体功率器件,能降低栅源漏电风险,提升器件可靠性,有效改善器件表面出现的台阶现象,避免金属层封装失效。
附件下载:  (原始资料备查)

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