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台面结构的10GPIN光电探测器芯片【异议或纠错】

档案编号: CQ-744-4440-6913
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/105;H01L31/0216;H01L31/0352类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型公开一种台面结构的10G?PIN光电探测器芯片,包括:衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的吸收层、形成于吸收层上的顶层、形成于顶层上的有源区、形成于顶层上的接触层、形成于顶层上的第一复合钝化层、形成于衬底、缓冲层、吸收层、顶层和第一复合钝化层上的第二复合钝化层、形成于第二复合钝化层和有源区上的增透膜、形成于缓冲层上的N型电极环、形成于增透膜和N型电极环上的N电极及形成于增透膜和接触层上的P电极,第一至第二复合钝化层由氮化硅和二氧化硅沉积而成。该芯片采用氮化硅与二氧化硅沉积形成第一与第二钝化层,以对芯片进行保护,且可以简化产品加工工艺,安全性高。
附件下载:  (原始资料备查)

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