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基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-899-3345-7409
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/024;H01S5/183类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种基底转移垂直腔面发射激光器及其制造方法,所述的基底转移垂直腔面发射激光器的结构包括:导电散热基板;金属黏贴层;垂直腔面发射器薄膜芯片。所述导电散热基板的第一面通过金属黏贴层粘接垂直腔面发生激光器薄膜芯片,所述导电散热基板的第二面及所述垂直腔面发生激光器薄膜芯片背离所述导电散热基板的一侧分别设置有连接电极,所述第一面与所述第二面为所述导电散热基板相背的两面。导电散热基板为导热性能优异的材料,利于垂直腔面发生激光器薄膜芯片散热。因此,本发明显著提高了垂直腔面发生激光器薄膜芯片的发光效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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