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光学芯片制备方法及其制备的光学芯片【异议或纠错】

档案编号: CQ-630-2968-6742
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/026;H01S5/183类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种光学芯片制备方法及其制备的光学芯片,其中,制备方法包括在所述基底上进行第一外延结构层薄膜的生长;在第一外延结构层薄膜上沉积刻蚀阻挡薄膜;在刻蚀阻挡薄膜上进行第二外延结构层薄膜的生长;去除第一外延结构层薄膜上方位于第一区域的刻蚀阻挡薄膜及第二外延结构层薄膜;在第二区域形成光探测器的N电极接触层;在第一区域形成垂直腔面发射激光器的P电极接触层及在第二区域形成所述光探测器的P电极接触层;在所述第一区域形成所述垂直腔面发射激光器的N电极接触层。上述方案,在同一基底上集成了垂直腔面发射激光器和光探测器,提高了集成化,有利于使用其的系统做到更进一步的小型化。
附件下载:  (原始资料备查)

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