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底部发射垂直腔面发射激光器【异议或纠错】

档案编号: CQ-899-3462-1649
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01S5/183;H01S5/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请公开了一种底部发射垂直腔面发射激光器,至少一个发光单元,所述发光单元包括层叠设置的衬底、第一反射器层、有源层、氧化层、第二反射器层及顶部电极,所述氧化层具有限定激光出射窗口的非氧化区,所述衬底上形成有用于改变所述激光出射窗口所出射激光光路的光学结构。上述方案,一方面由于衬底是在整个VCSEL中占据最大体积的部件,在其上直接集成光学结构,相较于在VCSEL外部设置光学结构,能够显著降低其整体尺寸;另一方面,在衬底上集成光学结构,可以是在VCSEL的制作工艺中一并完成,相较于在VCSEL外部设置光学结构,不需要在VCSEL制作完成后,在通过单独的工艺在VCSEL的出光侧设置光学结构,因此简化了工艺流程,降低成本。
附件下载:  (原始资料备查)

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