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半导体器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-959-8710-3079
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及化合物半导体材料与器件领域,具体涉及一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括:衬底;形成于所述应力吸收层上的过渡层或缓冲层;形成于所述过渡层或所述缓冲层上的氮化铝外延层。本发明提供的半导体器件,通过在衬底和氮化铝外延层之间设置应力吸收层和过渡层,达到减少或消除由于材料晶格和热膨胀系数不同引起的缺陷,包括位错(Dislocation)及龟裂(Crack),从而提高基于此材料结构的LED或半导体器件的性能、良率及可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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