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一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路【异议或纠错】

档案编号: CQ-111-0336-1785
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G05F1/56类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路,偏置电流源输出偏置电流的端口连接到三极管Q1的集电极,所述三极管Q1的发射极通过电阻R1后接地,所述三极管Q1的基极连接到三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极通过电阻R2后和电阻R1接地端共地,所述三极管Q1基极还通过电容C1后和电阻R2、电阻R1接地端共地;三极管Q2集电极分别连接到两个三极管Q3、Q4的发射极,所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后连接电源,所述三极管Q4的集电极通过电阻R4后连接电源,三极管Q3和Q4的基极分别连接一个差分信号输入;所述三极管Q1的集电极通过一个DNW CMOS模块连接到三极管Q1的基极。
附件下载:  (原始资料备查)

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