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一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-316-8973-5037
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/768;H01L23/538;H01L23/13;H01L21/304类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构,其中,硅转接板的制备方法包括提供半导体衬底,对该半导体衬底的背面进行减薄处理,在减薄后的半导体衬底设置TSV通孔。通过本发明在半导体衬底的背面先进行减薄处理之后再进行TSV通孔,解决了现有技术中由于TSV图形密度的差异导致TSV深度不同,背面所有TSV露头工艺与露头后的平坦化难度大、成本高的问题,从而实现了TSV刻蚀深度的一致性。
附件下载:  (原始资料备查)

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