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AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-318-1901-3947
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/20;B82Y40/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供了一种AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法,剥离AlGaN基紫外LED外延层的方法包括以下步骤:在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱;在所述纳米柱上进行外延生长,形成AlGaN基紫外LED外延层;通过选择性湿法刻蚀,将AlGaN基紫外LED外延层剥离下来。通过在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱,再以此纳米柱进行横向选区外延生长,形成AlGaN基紫外LED外延层;由于纳米柱间的连通、不连续的特性,有利于腐蚀溶液渗入,扩展孔洞的大小,将纳米柱顶端平台与平台上外延层腐蚀,进而实现易剥离效果。
附件下载:  (原始资料备查)

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