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碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置【异议或纠错】

档案编号: CQ-515-7852-0083
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/36;C30B23/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置,该碳化硅晶体生长用坩埚包括:坩埚本体,包括具有开口的容纳腔;所述坩埚本体呈上大下小的圆台状,并且所述坩埚本体的外侧壁与所述坩埚本体底部所在水平面的夹角α为75~80°;坩埚盖,盖设在所述坩埚本体的开口处。该碳化硅晶体生长用坩埚外形呈上大下小的圆台状,相对于直立结构坩埚其能够改变坩埚本体内部晶体生长的温度场,有利于生长形状平整的大尺寸高质量碳化硅晶锭,同时更加节约碳化硅晶体生长原料。
附件下载:  (原始资料备查)

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