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共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-320-7386-5200
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/18类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开一种共面电极模拟光电探测器芯片及其制作方法,该模拟光电探测器芯片包括:外延片以及形成于所述外延片背面的欧姆接触层;所述外延片包括:衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、钝化层、掺杂光敏区、限制沟、增透过渡薄膜层、P型电极金属层、N型电极金属层;所述顶层为n型至少三元以上的III-V族顶层;所述掺杂光敏区呈圆形,所述限制沟呈半圆环形,且所述限制沟围绕所述掺杂光敏区设置。本发明共面电极模拟光电探测器芯片的制作方法制作工艺简单,成品率高,且利用该方法制得的共面电极模拟光电探测器芯片具有低失真、低暗电流、高线性度、高响应度、高可靠性等特点。
附件下载:  (原始资料备查)

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