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射频半导体器件的制备方法及其结构【异议或纠错】

档案编号: CQ-424-3881-5307
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/335;H01L29/778;H01L29/423类
授权状态: 已授权
档案内容: 本申请实施例公开了一种射频半导体器件的制备方法及其结构,该方法包括:在衬底上制备缓冲层,并在缓冲层上外延形成第一结构层;在第一结构层的上表面沉积第一钝化层,并在第一钝化层的上表面通过刻蚀工艺形成凸形结构;在凸形结构的外侧通过刻蚀工艺形成侧墙结构;根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一结构层内形成重掺杂的第一区域;或者,根据凸形结构、侧墙结构和第一钝化层在第一表面区域上外延形成重掺杂的第一外延层,第一表面区域为回刻第一结构层后所露出的表面区域,从而有利于实现自对准和小尺寸结构的栅极工艺集成,提高射频半导体器件的性能,以及保证制备的源漏极具有较小的寄生电阻和接触电阻。
附件下载:  (原始资料备查)

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