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专利信息

一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统及其镀膜方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-509-8030-8755
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第C23C14/35;C23C14/02;C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54;C23C28/00类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统,它包括进片室、设于进片室出料端且依次连接的一个以上原子层沉积室、设于原子层沉积室出料端的进片隔离室、设于进片隔离室出料端的进片缓冲室、设于进片缓冲室出料端且依次连接的一个以上工艺镀膜室、设于工艺镀膜室出料端的出片缓冲室、设于出片缓冲室出料端的出片隔离室以及设于出片隔离室出料端的出片室。本发明的目的在于提供一种集成原子层沉积功能的磁控溅射镀膜系统,其通过将原子层沉积设备和磁控溅射设备结合在一起,应用于原子层沉积-磁控溅射镀膜连续进行的工艺中,大幅简化设备结构、缩短工艺流程,大幅降低设备成本,提高生产效率与良率,更加适合大规模生产。
附件下载：  (原始资料备查)

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