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专利信息

一种背接触异质结太阳能电池制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-570-9231-1637
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L31/20;H01L31/0352;H01L31/0747类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法,它包括步骤A,其具体工艺如下：步骤a1,在半导体基板双面同步沉积第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层；所述第一半导体层为N型掺杂多晶硅层；步骤a2,蚀刻去除覆盖第二导电区的第一半导体钝化层、第一半导体层和减反射绝缘层以露出第二导电区；步骤a3,在第二导电区依次沉积的第二半导体钝化层和第二半导体层；所述第二半导体层为P型掺杂非晶硅层；步骤a4,蚀刻去除半导体基板第二主面外露的减反射绝缘层。本发明目的在于提供一种制造方法,其减少了工艺步骤,并采用了N型多晶硅层与P型非晶硅层交叉排列结构,在制备过程中更加耐腐蚀,以保持膜层的完整性,提高了性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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