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超结N型MOSFET及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-605-5035-8404
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种N型超结MOSFET,包括:在半导体衬底上形成有多个沟槽;N型柱通过形成于沟槽的侧面的第一外延层和沟槽之间的半导体衬底横向叠加而成且N型柱的掺杂通过第一外延层的N型杂质扩散而成,P型柱由填充沟槽中的第二外延层组成。超结结构底部的半导体衬底的厚度由自对准形成于沟槽底部的通过氧注入和热处理形成的第一氧化层定义;漏区形成于被减薄后的半导体衬底的背面,超结的底部的半导体衬底中还形成有由背面选择性注入形成的P型阻断层。本发明还公开了一种N型超结MOSFET的制造方法。本发明能减少外延层的厚度和降低半导体衬底的掺杂浓度,从而能降低成本,还能提高器件性能的一致性,改善器件的反向恢复特性。
附件下载:  (原始资料备查)

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