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超结器件及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-251-1011-7859
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种超结器件,包括:依次形成于N型半导体衬底上的N型冗余外延层和N型缓冲层;在N型缓冲层之上形成有沟槽填充型超结结构;背面结构包括漏区和图形化的背面P型杂质区域;N型半导体衬底在背面减薄工艺中被去除,N型冗余外延层在背面减薄工艺中被完全或部分去除;N型半导体衬底的电阻率为顶层外延层的0.1~10倍,N型冗余外延层的电阻率为N型半导体衬底的0.1倍~10倍,N型冗余外延层的电阻率低于N型缓冲层的电阻率。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能消除高浓度衬底的杂质外扩的不利影响,从而使得超结结构能实现超低比导通电阻结构,同时还能保证背面能形成良好的欧姆接触,能改善器件的体二极管的特性。
附件下载:  (原始资料备查)

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