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专利信息

一种半导体器件及其制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-056-7710-1098
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,所述方法包括：提供敏感材料层,敏感材料层包括第一表面和第二表面；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层,边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔,边墙层的底部设置在敏感材料层的第二表面上；自敏感材料层的第一表面起依次刻蚀敏感材料层和边墙层,以形成贯穿敏感材料层、并延伸至边墙层内部的凹槽,凹槽的开口与边墙层的底部相对设置；形成填充凹槽的填充层；通过释放孔去除牺牲层,以在边墙层和敏感材料层之间形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度,避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
附件下载：  (原始资料备查)

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