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专利信息

GaNHEMT集成器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-064-8137-6296
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/8252;H01L21/84;H01L21/86;H01L27/085;H01L29/778类
授权状态： 已授权
档案内容： 本申请实施例公开了一种GaNHEMT集成器件及其制备方法,该方法包括：在衬底上制备缓冲层,并在缓冲层上外延形成第一外延层和第二外延层；在第二外延层的上表面沉积第一介质层和盖帽层,该盖帽层用于制备所述GaNHEMT器件的参考栅极；在参考栅极的外侧形成栅极外墙,并根据参考栅极和栅极外墙为掩膜外延形成重掺杂的第三外延层；将参考栅极制备为栅极以及制备源漏极。可见,本申请实施例,有利于制备低成本高产量的GaN射频HEMT集成器件,缩小集成器件尺寸,实现全自对准和小尺寸结构的栅极工艺集成方法,减小源漏极到栅极的寄生电阻,提升GaN HEMT集成器件在射频和毫米波应用中的性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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