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专利信息

一种高温原位紫外探测系统【异议或纠错】

档案编号： CQ-065-0535-5597
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L25/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L29/16;H01L31/0304;G01J1/42;G01J1/44类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明这种高温原位紫外探测系统,包括有散热模块和原位日盲紫外探测器；散热模块会组成一个腔体,原位日盲紫外探测器包括有SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、多块DBC板、集电极、发射极、栅极以及相对应的端子；其中SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片安装于散热模块的腔体内部,SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板与散热模块的焊料层连接；紫外探测器芯片位于腔体外部,紫外探测器芯片通过焊接的方式固定于DBC板上,DBC板固定散热模块的顶部；SiCMOSFET芯片、续流二极管FWD芯片、紫外探测器芯片、DBC板、集电极、发射极子、栅极之间通过电路进行互连。本发明采用AlGaN基紫外探测器芯片最高使用温度可达到300℃。
附件下载：  (原始资料备查)

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