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一种高密度阵列管脚封装结构及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-069-1319-8968
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种高密度阵列管脚封装结构及其制造方法,属于半导体芯片封装技术领域,本制造方法采用在金属载体上镀铜,采用图形处理工艺对铜层基板进行蚀刻及表面电镀形成线路和管脚,然后依次经过贴装芯片,键合打线,塑封处理,得到芯片基板,最终将金属载体从芯片基板上剥离,并对芯片成品进行化学电镀处理,实现高管脚密度和高散热能力的封装结构;整个过程中,因为线路铜层一直在和载体键合状态,并且塑封料对管脚有结合作用,所以避免了传统单框架独立管脚的掉落现象。本方法相比传统的制造工艺,本方法原理简单,没有繁琐、复杂的步骤,可操作性强;适用于管脚高密度阵列分布,解决了无法满足当前对于封装结构薄型、小型化的需求的问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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