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专利信息

一种p-GaN增强型器件制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-069-3280-7993
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/335;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种p-GaN增强型器件制备方法,涉及半导体器件制造技术领域,通过在第一层氮化镓铝层上方的p-GaN以外的区域形成第二层氮化镓铝层,由于p-GaN下方的第一层氮化镓铝层的厚度不能太厚,太厚会导致p-GaN无法完全耗尽栅极下方的二维电子气,而第二层氮化镓铝层是覆盖在p-GaN以外的区域,不在p-GaN下方,因此在p-GaN以外的区域,第二层氮化镓铝层可以提供更多的二维电子气,二维电子气浓度越高,器件的电流越大,从而提升了p-GaN增强型器件的电流。本发明能够在不影响形成p-GaN增强型器件的基础上提升器件的电流。
附件下载：  (原始资料备查)

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