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专利信息

一种栅极漏电可调控的GaN功率器件及其制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-134-0911-0136
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L29/06;H01L29/423;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明提供了一种栅极漏电可调控的GaN功率器件及其制备方法,涉及半导体器件技术领域。本发明在衬底上依次层叠生长缓冲层、势垒层和P-GaN层；对所述P-GaN层进行刻蚀,只保留栅极区域的P-GaN层,将栅极区域的P-GaN层刻蚀出若干凹槽,形成平面区域和凹陷区域,得到第一晶片；将所述第一晶片浸渍到四甲基氢氧化铵溶液中,取出后退火,得到第二晶片；在所述第二晶片上分别制作源极电极、栅极电极和漏极电极,得到栅极漏电可调控的GaN功率器件；所述栅极电极与P-GaN层的平面区域和凹陷区域均接触。本发明通过调整平面区域和凹陷区域的面积比例,可以调节栅极的漏电大小,也可调整栅极的动态恢复性能。
附件下载：  (原始资料备查)

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